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    Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets

    论文编号:
    作者: K. Xu
    刊物名称: Nanoscale
    所属学科:
    论文题目英文: Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets
    年: 2015
    卷: 7
    期:
    页: 15757-15762
    联系作者: J. He
    收录类别:
    影响因子:
    参与作者:
    备注:
       

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